Производитель: ON Semiconductor  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 5A  •  Ток коллектора (макс): 10A  •  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V  •  Мощность макcимальная: 100Вт  •  Модуляция частот: 23MHz  •  Тип транзистора: NPN  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)