Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 10K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 50mA  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: VMT3  •  Встречается под наим.: DTA114EMT2LDKR