Производитель: Rohm Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 100K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 250MHz  •  Мощность макcимальная: 200mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  •  Встречается под наим.: DTA115EUAT106DKR