Характеристики | Производитель: Rohm Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 200K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50µA, 500µA • Ток коллектора (макс): 100mA • Модуляция частот: 250MHz • Мощность макcимальная: 200mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 |
Архив документации | |
Поставщики «DTC125TUAT106» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN (86) 15220089993, sales@geefook.com | | DTC125TUAT106 (Подробнее) | ROHM Semiconductor | 0.26$ | 23890 | Icseek Global Limited, Шэньчжэнь (86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net | | DTC125TUAT106 (Оригинальный и наличный и новый) | ROHM | – | 3500 | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | DTC125TUAT106 (yпаковка: SOT-23; год: 22+) | ROHM/ | – | 55000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | DTC125TUAT106 (TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Подробнее) | Rohm Semiconductor | – | 13843 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | DTC125TUAT106 | – | – | от 7 дней | DTC125TUAT106ROHMSMD | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | DTC125TUAT106 | – | – | от 7 дней | DTC125TUAT106ROHMSMD | – | – | от 7 дней |
|