Характеристики | Производитель: Rohm Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 10K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Модуляция частот: 200MHz • Мощность макcимальная: 200mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 • Встречается под наим.: DTD114GKT146CT |