Характеристики

ECH8411-TL-E — MOSFET N-CH 20V 9A ECH8

Производитель: SANYO Semiconductor (U.S.A) Co  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4A, 4V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 1.4W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Встречается под наим.: 869-1155-6
Архив документации

Поставщики «ECH8411-TL-E»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
ECH8411-TL-E (Подробнее)onsemi0.19$6000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
ECH8411-TL-E (N-CHANNEL SILICON MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC0.18$6158
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
ECH8411-TL-E (Оригинальный и наличный и новый)ON–3500
RYX ELECTRONIC LIMITED, Shenzhen
(86) 15920010314, info@ryxic.com
ECH8411-TL-E (yпаковка: NA)Panasonic–9000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
ECH8411-TL-E (MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH Подробнее)onsemi–134740
ECH8411-TL-E-SA (N-CHANNEL SILICON MOSFET Подробнее)Sanyo–169047
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
ECH8411-TL-E––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
ECH8411-TL-E––от 7 дней