Характеристики

FDAF59N30 — MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: UniFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 17A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4670pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 161W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-3PF-3
Архив документации

Поставщики «FDAF59N30»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FDAF59N30 (MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF Подробнее)ON Semiconductor8.5158$7593
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FDAF59N30 (yпаковка: TO3PF; год: 22+)FAIRCHILD–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FDAF59N30 (MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF Подробнее)Fairchild Semiconductor–150998
ООО "Интегральные схемы"FDAF59N30––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FDAF59N30––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFDAF59N30 (Подробнее)onsemi–35000
Icseek Global LimitedFDAF59N30 (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD–2900