Характеристики
FDS3670
— MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Fairchild Semiconductor
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Обратите внимание:
Mold Compound Change 12 dec 2007
•
Серия: PowerTrench®
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.3A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2490pF @ 50V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Logic Level Gate
•
Power - Max: 1W
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации
FDS3670
- 100v N-channel Powertrench Mosfet •
N-канальные транзисторные модули
fds3670.pdf (205.89Кб)
Возможные аналоги
IRF7473
Вся информация »
Поставщики «FDS3670»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
FDS3670
(22+; год: 13640)
FAIRCHILD
8$
–
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
FDS3670_NL
(22+; год: 3500)
FAIRCHILD
8$
–
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
FDS3670
(yпаковка: SOP-8; год: 22+)
FAIRCHILD/
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
FDS3670
(MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC
Подробнее
)
Fairchild Semiconductor
–
137608
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
FDS3670
(год: 01+)
FAIRCHILD
–
5056
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
FDS3670_NL
(год: 13+)
FAIRCHILD
–
5000
ZEALAN ELECTRONICS (HK) INT'L LIMITED
FDS3670
(Brandneworiginalstock)
FAIRCHILD
–
10000
ZEALAN ELECTRONICS (HK) INT'L LIMITED
FDS3670
(Brandneworiginalstock)
FAIRCHILD
–
7000
ООО "АСПЕКТ"
FDS3670
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
FDS3670_0011
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
FDS3670_NL
–
–
от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
FDS3670
(
Подробнее
)
onsemi
–
35000
ООО "Интегральные схемы"
FDS3670
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
FDS3670_0011
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
FDS3670_NL
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
FDS3670
(Оригинальный и наличный и новый)
FAIRCHILD
–
2900
ООО "ЕК-Компонент"
FDS3670_NL
Fairchild Semiconductor
–
2566