Характеристики

FDS6064N3 — MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 30 jan 2008  •  Серия: PowerTrench®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 23A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7191pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC  •  Встречается под наим.: FDS6064N3DKR
Архив документации

Поставщики «FDS6064N3»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FDS6064N3 (MOSFET N-CH 20V 23A 8SO Подробнее)Fairchild Semiconductor137664
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFDS6064N3 (Подробнее)onsemi35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FDS6064N3 (SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC1.584$31819
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FDS6064N3 (MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC Подробнее)ON Semiconductor1.584$31638
Icseek Global LimitedFDS6064N3 (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD2900
ООО "Интегральные схемы"FDS6064N3от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FDS6064N3/7от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FDS6064N3от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FDS6064N3/7от 7 дней