Характеристики

FDS6162N7 — MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Mold Compound Change 30 jan 2008  •  Серия: PowerTrench®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 23A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5521pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC  •  Встречается под наим.: FDS6162N7DKR
Архив документации

Поставщики «FDS6162N7»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
FDS6162N7 (Подробнее)onsemi–35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
FDS6162N7 (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC1.809$16557
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
FDS6162N7 (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD–2900
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
FDS6162N7Fairchild Semiconductor–336
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
FDS6162N7 (yпаковка: SOP-8; год: 22+)FAIRCHILD/–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
FDS6162N7 (MOSFET N-CH 20V 23A 8SO Подробнее)Fairchild Semiconductor–137806
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
FDS6162N7––от 7 дней
FDS6162N7_F077––от 7 дней
FDS6162N7_NL––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
FDS6162N7––от 7 дней
FDS6162N7_F077––от 7 дней
FDS6162N7_NL––от 7 дней