Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  •  Сопротивление базы (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 200MHz  •  Мощность макcимальная: 300mW  •  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Short Body)