Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: QFET™ • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 300V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 3.13W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN (86) 15220089993, sales@geefook.com | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | FQB2N30TM (Подробнее) | onsemi | – | 35000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | FQB2N30TM (MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK Подробнее) | onsemi | – | 159773 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | FQB2N30TM | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | FQB2N30TM | – | – | от 7 дней |
|