Характеристики

FQB2N30TM — MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 300V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 3.13W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «FQB2N30TM»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
FQB2N30TM (Подробнее)onsemi35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
FQB2N30TM (MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK Подробнее)onsemi159773
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
FQB2N30TMот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
FQB2N30TMот 7 дней