Характеристики

FQB50N06LTM — MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 26.2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52.4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3.75W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «FQB50N06LTM»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQB50N06LTM (Подробнее)onsemi1.71$35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQB50N06LTM-NL (yпаковка: TO263(D2PAK); год: 22+)FAIRCHILD/–45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQB50N06LTM FQB50N06L (yпаковка: TO263; год: 22+)FAIRCHILD/–45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQB50N06LTM (MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK Подробнее)onsemi–146396
Стандарт СИЗСвежие данные!FQB50N06LTM (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)KGB–Да
Icseek Global LimitedFQB50N06LTM (Оригинальный и наличный и новый)FSC–5100
ООО "АСПЕКТ"FQB50N06LTM––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQB50N06LTM––от 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FQB50N06LTMFairchild Semiconductor–296
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQB50N06LTM (yпаковка: TO263; год: 22+)FAIRCHILD/–45000