Характеристики

FQB630TM — MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 3.13W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «FQB630TM»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDFQB630TM (год: 00+)FAIRCHILD780
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQB630TM (Подробнее)onsemi35000
ООО "Интегральные схемы"FQB630TMот 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FQB630TMFairchild Semiconductor846
ООО "АСПЕКТ"FQB630TMот 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQB630TM (yпаковка: SOT-263; год: 22+)FAIRCHILD/55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQB630TM (MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Подробнее)onsemi159740