Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

FQD2N60CTF_F080 — MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.