Характеристики

FQD3P50TF — MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Lead Dimension Change 23 jan 2007  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25V  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

Поставщики «FQD3P50TF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.FQD3P50TF (22+; год: 3500)FAIRCHILD252$
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQD3P50TF (MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK Подробнее)onsemi159804
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDFQD3P50TF (год: 18+)FAIRCHILD2500
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQD3P50TF (Подробнее)onsemi35000
ООО "Интегральные схемы"FQD3P50TFот 7 дней
Icseek Global LimitedFQD3P50TF (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD5100
ООО "АСПЕКТ"FQD3P50TFот 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FQD3P50TFFairchild Semiconductor1566
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQD3P50TF (yпаковка: TO252(DPAK); год: 22+)FAIRCHILD/45000