Характеристики

FQD9N08TM — MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Обратите внимание: Lead Dimension Change 23 jan 2007  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 3.7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 80V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации

Поставщики «FQD9N08TM»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"FQD9N08TMот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQD9N08TM_WSот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FQD9N08TMот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"FQD9N08TM_WSот 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!AMF-3D-00500400-13-15P (yпаковка: -; год: 22+)L3 Narda-MITEQ55000
Icseek Global LimitedFQD9N08TM (Оригинальный и наличный и новый)ON5100
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQD9N08TM (MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK Подробнее)onsemi159678
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQD9N08TM (Подробнее)onsemi35000