Характеристики

FQI4N80TU — MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: QFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 800V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 3.13W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «FQI4N80TU»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!FQI4N80TUFairchild Semiconductor–1233
Icseek Global LimitedFQI4N80TU (Оригинальный и наличный и новый)FSC–5100
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!FQI4N80TU (MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK Подробнее)ON Semiconductor0.945$1734
ООО "АСПЕКТ"FQI4N80TU––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"FQI4N80TU––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdFQI4N80TU (Подробнее)onsemi–35000
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.FQI4N80TU (22+; год: 1185)FSC262$–
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDFQI4N80TU (год: 08+)FSCшЪФ–185
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!FQI4N80TU (MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK Подробнее)Fairchild Semiconductor–141002
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!FQI4N80TU (yпаковка: TO-262; год: 22+)FAIRCHILD/–55000