Характеристики

HAF1002-90STL-E — MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

Производитель: Renesas Technology America  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 7.5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A  •  FET Polarity: P-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 50W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: LDPAK
Архив документации

Поставщики «HAF1002-90STL-E»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
HAF1002-90STL-E (Подробнее)Intersil (Renesas Electronics Corporation)35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
HAF1002-90STL-E (Оригинальный и наличный и новый)RENESAS8200
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
HAF1002-90STL-E (yпаковка: TO263; год: 22+)RENESAS45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
HAF1002-90STL-E (MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK Подробнее)Renesas Electronics America Inc160534
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
HAF1002-90STL-E (микросхема интегральная электронная MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Renesas Electronics America32297
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
HAF1002-90STL-Eот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
HAF1002-90STL-Eот 7 дней