Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

HAT2160N-EL-E — MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI

Производитель: Renesas Technology America  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 20V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: LFPAK-i

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.