Характеристики

HUFA75623S3ST — MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: UltraFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 22A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 20V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 85W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Архив документации

Поставщики «HUFA75623S3ST»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
HUFA75623S3ST (Подробнее)onsemi35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
HUFA75623S3ST (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Rochester Electronics, LLC0.459$34516
HUFA75623S3ST (MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK Подробнее)ON Semiconductor0.459$34476
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
HUFA75623S3ST (Оригинальный и наличный и новый)FAIRCHILD6500
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
HUFA75623S3ST (MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK Подробнее)Fairchild Semiconductor135872
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
HUFA75623S3STот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
HUFA75623S3STот 7 дней