Характеристики
IDT71T75602S200BGI
— IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA
Интегральные микросхемы
»
Память (EEPROM, Flash, RAM)
Производитель: IDT, Integrated Device Technol
•
Тип памяти: RAM
•
Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT
•
Объем памяти: 18M (512K x 36)
•
Скорость: 200MHz
•
Интерфейс подключения: Параллельный
•
Напряжение питания: 2.375 V ~ 2.625 V
•
Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
•
Корпус: 119-BGA
•
Встречается под наим.: 71T75602S200BGI
Архив документации
IDT71T75602S200BGI
- 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBTTM SRAMs 2.5V I / O, Burst Counter Pipelined Outputs
getDoc.cfm
на сайте idt.com
Поставщики «IDT71T75602S200BGI»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
IDT71T75602S200BGI
(
Подробнее
)
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
–
35000
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
IDT71T75602S200BGI8
(
Подробнее
)
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
–
35000
ООО "АН-ЧИП"
IDT71T75602S200BGI8
(микросхема интегральная электронная IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Renesas/IDT/Intersil
–
10362
ООО "АН-ЧИП"
IDT71T75602S200BGI
(микросхема интегральная электронная IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Renesas/IDT/Intersil
–
10361
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IDT71T75602S200BGI
(IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
Подробнее
)
Renesas Electronics America Inc
–
1262
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IDT71T75602S200BGI8
(IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
Подробнее
)
Renesas Electronics America Inc
–
1261
ООО "АСПЕКТ"
IDT71T75602S200BGI
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IDT71T75602S200BGI8
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IDT71T75602S200BGI
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IDT71T75602S200BGI8
–
–
от 7 дней