Характеристики

IDT71V3557SA80BGG8 — IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA

Производитель: IDT, Integrated Device Technol  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип памяти: RAM  •  Тип памяти: SRAM - Synchronous ZBT  •  Объем памяти: 4M (128K x 36)  •  Скорость: 80ns  •  Интерфейс подключения: Параллельный  •  Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.465 V  •  Рабочая температура: 0°C ~ 70°C  •  Корпус: 119-BGA  •  Встречается под наим.: 71V3557SA80BGG8
Архив документации

Поставщики «IDT71V3557SA80BGG8»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"IDT71V3557SA80BGG8––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IDT71V3557SA80BGG8––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIDT71V3557SA80BGG8 (Подробнее)Intersil (Renesas Electronics Corporation)–35000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IDT71V3557SA80BGG8 (IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA Подробнее)Renesas Electronics America Inc–1311
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IDT71V3557SA80BGG8 (микросхема интегральная электронная IC SRAM 4.5MBIT 80NS 119BGA 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Renesas/IDT/Intersil–10796