Характеристики

IPB03N03LB G — MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 55A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7624pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 150W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: IPB03N03LB G-ND, IPB03N03LBGINTR, IPB03N03LBGXT, SP000103300
Архив документации

Поставщики «IPB03N03LB G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IPB03N03LB G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–27765
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!IPB03N03LB G (MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 Подробнее)Infineon Technologies7.164$8568
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IPB03N03LB G (MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Подробнее)Infineon Technologies–143979
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IPB03N03LBG (OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Infineon Technologies–171218
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IPB03N03LBG (yпаковка: TO263; год: 22+)Infineon–45000
Icseek Global LimitedIPB03N03LB G (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
Icseek Global LimitedIPB03N03LBG (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
ООО "Интегральные схемы"IPB03N03LB G––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IPB03N03LB G––от 7 дней