Характеристики

IPB048N06L G — MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 100A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 30V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: IPB048N06L G-ND, IPB048N06LGINTR, IPB048N06LGXT, SP000204181
Архив документации

Поставщики «IPB048N06LG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IPB048N06LG (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
IPB048N06L G (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
IPB048N06LGATMA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
IPB048N06L GVBsemi–1091
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IPB048N06LG (yпаковка: TO-263-2; год: 22+)Infineon–55000
IPB048N06L G (yпаковка: D2PAK(TO-263); год: 22+)Infineon–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IPB048N06LG (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Infineon Technologies–137315
IPB048N06LGATMA1 (MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Подробнее)Infineon Technologies–160569
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IPB048N06L G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–8312
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IPB048N06LG––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IPB048N06LG––от 7 дней