Характеристики

IPB06N03LA G — MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2653pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 83W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: IPB06N03LAGXT, SP000068850
Архив документации

Поставщики «IPB06N03LAG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IPB06N03LAG (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
IPB06N03LA G (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
IPB06N03LAGInfineon Technologies AG–662
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IPB06N03LAG (yпаковка: TO263; год: 22+)Infineon–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IPB06N03LA G (MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Подробнее)Infineon Technologies–160287
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IPB06N03LA G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–8026
ООО "Промэлектро-1", Челябинск
(351) 215-03-75, promelektro1@mail.ru
AOD478 TO-252 (D-PAK) (Mark: D478) N-MOS, 100V, 11A, 45W, 0.14Ohm [10V], 0.152Ohm [4.5V] (4-6 дней 505; год: По запросу)–108 р.3
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IPB06N03LAG––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IPB06N03LAG––от 7 дней