Характеристики
IPB090N06N3 G
— MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: OptiMOS™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 30V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Standard
•
Power - Max: 71W
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
•
Встречается под наим.: SP000398042
Архив документации
IPP_B093N06N3_Rev1.0.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «IPB090N06N3G»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Icseek Global Limited
IPB090N06N3GXT
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6348
Дельта Электроника
IPB090N06N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой
–
76.25 р.
6-8 недель
"Симметрон"
IPB090N06N3GATMA1
(MOSFET транзистор IPB090N06N3GATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 9 мОм; Qg: 36 нКл; Корпус: D2Pak (TO-263)
Подробнее
)
Infineon
–
–
Turshehing Electronic Technology(HK)Limited
IPB090N06N3GATMA1
TE
–
–
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
IPB090N06N3GATMA1
(Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Подробнее
)
Infineon Technologies
3.2224$
35689
А-Поставщик ЭКБ
IPB090N06N3GATMA1
(В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)
Infineon
–
1000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
IPB090N06N3GATMA1
(MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
147465
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IPB090N06N3GATMA1
(yпаковка: TO263; год: 22+)
INF
–
45000
Icseek Global Limited
IPB090N06N3GATMA1
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6348
Icseek Global Limited
IPB090N06N3 G
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6348
Icseek Global Limited
IPB090N06N3G
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
6348
ООО "Интегральные схемы"
IPB090N06N3G
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IPB090N06N3G
–
–
от 7 дней
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IPB090N06N3 G
(22+; год: 1340)
INFINEON
263$
–
ООО "АН-ЧИП"
IPB090N06N3 G
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
25686
ООО "Аркион"
IPB090N06N3G
(от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: 23+)
Infineon Technologies
–
15000
А-Поставщик ЭКБ
IPB090N06N3G
(В наличии на складе TC в КНР. Доставка РФ в срок от 2 недель; yпаковка: #N/A; год: 2021)
Infineon
–
1000
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
IPB090N06N3 G
(год: 0821+)
INFINEON
–
340
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IPB090N06N3 G
(yпаковка: TO263; год: 22+)
Infineon
–
45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IPB090N06N3G
(yпаковка: TO263; год: 22+)
Infineon
–
45000
ООО "ЕК-Компонент"
IPB090N06N3 G
Infineon Technologies AG
–
9906
ООО "ЕК-Компонент"
IPB090N06N3G
VBsemi
–
1069