Характеристики

IPB14N03LAT — MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 25V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1043pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 46W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000016324
Архив документации

Поставщики «IPB14N03LAT»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"IPB14N03LATот 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IPB14N03LAT (yпаковка: TO263; год: 22+)Infineon45000
ООО "АСПЕКТ"IPB14N03LATот 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IPB14N03LAT (MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3 Подробнее)Infineon Technologies159619
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IPB14N03LAT (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)7897