Характеристики

IPB60R520CP — MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: CoolMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 650V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.8A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 100V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 66W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000405868
Архив документации

Поставщики «IPB60R520CP»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.IPB60R520CP (22+; год: 2600)INENOI263$–
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IPB60R520CP (N-CHANNEL POWER MOSFET Подробнее)Infineon Technologies–136576
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IPB60R520CPATMA1 (MOSFET N-CH 600V 6.8A D2PAK Подробнее)Infineon Technologies–164322
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDIPB60R520CP (год: 09+)INENOI–1600
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IPB60R520CP (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–25505
Icseek Global LimitedIPB60R520CP (Оригинальный и наличный и новый)INF–6348
Icseek Global LimitedIPB60R520CPATMA1 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6348
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!IPB60R520CPInfineon Technologies AG–6966
ООО "АСПЕКТ"IPB60R520CP––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IPB60R520CP––от 7 дней
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IPB60R520CP (yпаковка: D2PAK(TO-263); год: 22+)Infineon–55000