Характеристики

IPI070N06N G — MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: OptiMOS™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 30V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 250W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)  •  Встречается под наим.: SP000208612
Архив документации

Поставщики «IPI070N06NG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Константин-211, Москва
(916) 132-40-67, Факс: (812) 329-01-26 доб.(тон) 1955-001, konst211@lenta.ru
2РМ42КПЭ50Г2В1 89-90гцену уточняйте.0.02 р.48
Электронные компоненты, Москва
(916) 6776908, urasavin@ya.ru
2РМ42КПЭ50Г2В1 89-90г450 р.48
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IPI070N06NG (yпаковка: TO262; год: 22+)Infineon45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IPI070N06N G (MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 Подробнее)Infineon Technologies162491
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IPI070N06N G (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)8421
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
IPI070N06N G (Подробнее)Infineon Technologies
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IPI070N06NGот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IPI070N06NGот 7 дней