Характеристики

IRC634PBF — MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.9A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 250V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.1A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Current Sensing  •  Power - Max: 74W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220-5 (Straight Leads)  •  Встречается под наим.: *IRC634PBF
Архив документации

Поставщики «IRC634PBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.IRC634PBF (22+; год: 1250)IR220$
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDIRC634PBF (год: 06+)IR250
ZEALAN ELECTRONICS (HK) INT'L LIMITEDСвежие данные!IRC634PBF (Brandneworiginalstock)IR7000
Icseek Global LimitedIRC634PBF (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
ООО "АСПЕКТ"IRC634PBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IRC634PBFот 7 дней
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!IRC634PBFIR316
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IRC634PBF (MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5 Подробнее)Vishay Siliconix159108