Характеристики
IRF7342D2TRPBF
— MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: International Rectifier
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Серия: FETKY™
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V
•
FET Polarity: P-Channel
•
FET Feature: Diode (Isolated)
•
Power - Max: 2W
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: SO-8
Архив документации
irf7342d2pbf.pdf
на сайте irf.com
Поставщики «IRF7342D2TRPBF»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
IRF7342D2TRPBF
(MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Подробнее
)
Infineon Technologies
0.3325$
18589
Дельта Электроника
IRF7342D2TRPBF
–
99.34 р.
6-8 недель
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
IRF7342D2TRPBF
(22+; год: 1020)
IR
8$
–
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRF7342D2TRPBF
(yпаковка: SO8; год: 22+)
IR
–
55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
IRF7342D2TRPBF.
(yпаковка: SOP-8; год: 22+)
IR
–
55000
ООО "Аркион"
IRF7342D2TRPBF
(SOP-8 от 4-х недель; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: D/C: N/A)
Infineon Technologies
–
1628
Icseek Global Limited
IRF7342D2TRPBF
(Оригинальный и наличный и новый)
IR
–
5246
ООО "Интегральные схемы"
IRF7342D2TRPBF
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
IRF7342D2TRPBF.
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRF7342D2TRPBF
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
IRF7342D2TRPBF.
–
–
от 7 дней
RYX ELECTRONIC LIMITED
IRF7342D2TRPBF
(yпаковка: SOP8; год: 16+)
Infineon
–
27
ООО "ЕК-Компонент"
IRF7342D2TRPBF.
IR
–
789