Характеристики

IRF7353D2PBF — MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 2W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «IRF7353D2PBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF7353D2PBF (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON5246
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF7353D2PBF (MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO Подробнее)Infineon Technologies159202
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF7353D2PBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF7353D2PBFот 7 дней