Характеристики

IRF7807D1PBF — MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «IRF7807D1PBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITED, Shenzhen
(86) 755 88822285, Факс: (86) 755 83957852, harry@ic-clc.com
IRF7807D1PBF (yпаковка: 8SOIC)Infineon5580
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IRF7807D1PBF (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC Подробнее)Infineon Technologies1.6597$22161
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF7807D1PBF (Оригинальный и наличный и новый)IOR5246
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF7807D1PBF (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Подробнее)Infineon Technologies159221
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IRF7807D1PBF35.1 р.6-8 недель
IRF7807D1PBF124.88 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF7807D1PBFот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF7807D1PBFот 7 дней