Характеристики

IRF7807D2PBF — MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «IRF7807D2PBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Техносфера - компонент", Санкт-Петербург
(812) 970-71-69, 956-47-50, tscomponent@mail.ru
IRF7807D2PBF N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SONo trademarkм. опт: 150 р.2700
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IRF7807D2PBF (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–5246
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF7807D2PBF (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Подробнее)Infineon Technologies–159222
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
IRF7807D2PBF (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)MAX–Да
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IRF7807D2PBF,Nкан 30В 8.3А SO8–42.9 р.6-8 недель
ЗелЧип ООО, Москва
(499) 350-96-26, Факс: (499) 350-96-26, sales@zelchip.ru
IRF7807D2PBF (MOSFET транзистор Подробнее)––2-4 недели
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF7807D2PBF––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF7807D2PBF––от 7 дней