Характеристики

IRF7807VD2TR — MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Серия: FETKY™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Diode (Isolated)  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Архив документации

Поставщики «IRF7807VD2TR»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IRF7807VD2TRPBF (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC Подробнее)Infineon Technologies0.4152$22569
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF7807VD2TR (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
IRF7807VD2TRPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRF7807VD2TR (yпаковка: SOP8/3.9MM; год: 22+)Infineon45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF7807VD2TR (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Подробнее)Infineon Technologies158158
IRF7807VD2TRPBF (MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Подробнее)Infineon Technologies159162
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF7807VD2TRот 7 дней
IRF7807VD2TRPBFот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF7807VD2TRот 7 дней
IRF7807VD2TRPBFот 7 дней
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IRF7807VD2TRPBF50.7 р.6-8 недель