Характеристики

IRF8707GPBF — MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Производитель: International Rectifier  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HEXFET®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 30V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 760pF @ 15V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 8-SOIC
Архив документации

Поставщики «IRF8707GPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IRF8707GPBF (MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Подробнее)Infineon Technologies0.4028$12336
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRF8707GPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR5246
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRF8707GPBF (MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Подробнее)Infineon Technologies162903
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
IRF8707GPBF (год: 11+)IR9313
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
IRF8707GPBF (22+; год: 10313)IR8$
IRF8707GPBF F8707G (22+; год: 1095)IR8$
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRF8707GPBFот 7 дней
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
IRF8707GPBF6-8 недель
IRF8707GPBF24.7 р.6-8 недель
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRF8707GPBFот 7 дней