Характеристики | Производитель: Vishay/Siliconix • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1.9A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 980pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 125W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | IRFBG30S (yпаковка: TO263; год: 22+) | IR | – | 45000 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | IRFBG30S | – | – | от 7 дней | IRFBG30STRL | – | – | от 7 дней | IRFBG30STRR | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | IRFBG30S | – | – | от 7 дней | IRFBG30STRL | – | – | от 7 дней | IRFBG30STRR | – | – | от 7 дней |
|