Характеристики

IRFR110TRRPBF — MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «IRFR110TRRPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRFR110TRRPBF (Оригинальный и наличный и новый)IR/5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRFR110TRRPBF (yпаковка: TO252; год: 22+)IR45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRFR110TRRPBF (MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Подробнее)Vishay Siliconix159238
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRFR110TRRPBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRFR110TRRPBFот 7 дней