Характеристики

IRFRC20TRRPBF — MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Архив документации
  • doc на сайте vishay.com

Поставщики «IRFRC20TRRPBF»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRFRC20TRRPBF (yпаковка: TO-252; год: 22+)Vishay55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRFRC20TRRPBF (MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Подробнее)Vishay Siliconix153818
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
IRFRC20TRRPBF (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)TexasДа
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRFRC20TRRPBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRFRC20TRRPBFот 7 дней