Характеристики

IRFU010 — MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 50V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 25W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «IRFU010»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IRFU010 (MOSFET N-CH 50V 8.2A TO251AA Подробнее)Vishay Siliconix157845
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IRFU010PBF (yпаковка: TO251; год: 22+)45000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IRFU010 (yпаковка: TO251; год: 22+)IR45000
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!IRFU010TUVBsemi9718
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!IRFU010 (MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK Подробнее)Vishay Siliconix0.1216$6188
Icseek Global LimitedIRFU010TU (Оригинальный и наличный и новый)SAM/5246
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDIRFU010ATU (год: 22+)IR350
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDIRFU010ATU (год: 708)IR350
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.IRFU010ATU (22+; год: 1350)IR251$
ООО "Интегральные схемы"IRFU010от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IRFU0109222от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IRFU010PBFот 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IRFU010TUот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IRFU010от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IRFU0109222от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IRFU010PBFот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IRFU010TUот 7 дней