Характеристики

IRFU220BTU_FP001 — MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK

Производитель: Fairchild Semiconductor  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 390pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 2.5W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Архив документации

Поставщики «IRFU220BTU_FP001»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IRFU220BTU_FP001 (Подробнее)onsemi35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IRFU220BTU_FP001 (Оригинальный и наличный и новый)ON5246
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IRFU220BTU_FP001 (yпаковка: TO-251; год: 22+)ON55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IRFU220BTU_FP001 (MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK Подробнее)onsemi162350
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IRFU220BTU-FP001от 7 дней
IRFU220BTU_FP001от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IRFU220BTU-FP001от 7 дней
IRFU220BTU_FP001от 7 дней