Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

IRL630L — MOSFET N-CH 200V 9A TO-262

Производитель: Vishay/Siliconix  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 5V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 3.1W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Архив документации
Возможные аналогиIRLI630A, IRLU230A   Вся информация »

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.