Характеристики

IXFH10N100P — MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: Polar™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3030pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 380W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247  •  Встречается под наим.: Q4374359

Поставщики «IXFH10N100P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFH10N100P (Подробнее)Littelfuse7.92$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
IXFH10N100P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXFH10N100P (yпаковка: TO-247; год: 22+)IXYS55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFH10N100P (MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD Подробнее)IXYS138479
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXFH10N100P (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS29941
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFH10N100Pот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFH10N100Pот 7 дней