Характеристики

IXFH12N100Q — MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 300W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247AD
Архив документации
Возможные аналогиIRFPG50, STW11NK100Z   Вся информация »

Поставщики «IXFH12N100Q»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFH12N100Q (Подробнее)Littelfuse–35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IXFH12N100Q (MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Подробнее)IXYS44.7175$3100
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXFH12N100Q (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
ООО "ЕК-Компонент", Москва
(495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru
IXFH12N100QIXYS–2961
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXFH12N100Q (yпаковка: TO247; год: 22+)IXYS–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFH12N100Q (MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD Подробнее)IXYS–162633
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXFH12N100Q (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–30400
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFH12N100Q––от 7 дней
IXFH12N100Q(5)––от 7 дней
IXFH12N100QMOSFET––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFH12N100Q––от 7 дней
IXFH12N100Q(5)––от 7 дней
IXFH12N100QMOSFET––от 7 дней