Характеристики

IXFN25N90 — MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 900V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10800pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 600W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Архив документации
Возможные аналогиSTE30NK90Z, STE40NK90ZD   Вся информация »

Поставщики «IXFN25N90»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АСПЕКТ"IXFN25N90от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"IXFN25N90от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXFN25N90 (Подробнее)Littelfuse35000
Icseek Global LimitedIXFN25N90 (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXFN25N90 (MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B Подробнее)IXYS162684