Характеристики

IXFN80N50P — MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PolarHV™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12700pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 700W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227B miniBLOC
Архив документации

Поставщики «IXFN80N50P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Yee Hing Technology Co., LimitСвежие данные!IXFN80N50P3320
АВЭЛКОМ СПБIXFN80N50P (от шт.)Срок 6-8 недель, 297
Дельта ЭлектроникаIXFN80N50P1206.98 р.6-8 недель
Дельта ЭлектроникаIXFN80N50P, Модуль4912.5 р.6-8 недель
ООО "Интегральные схемы"IXFN80N50Pот 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXFN80N50Pот 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXFN80N50P (MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B Подробнее)IXYS132462
Hightech Semiconductor Co LtdСвежие данные!IXFN80N50P (yпаковка: 121; год: SOT227)IXYS1316
HK CARLACCI TRADING CO.,LIMITEDСвежие данные!IXFN80N50P (yпаковка: SOT-227-4)IXYS5580
Icseek Global LimitedIXFN80N50P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS8643
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXFN80N50P (Подробнее)Littelfuse34.47$35000