Характеристики

IXFQ12N80P — MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: PolarVHV™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 800V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 360W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-3P
Архив документации

Поставщики «IXFQ12N80P»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFQ12N80P (Подробнее)Littelfuse–35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXFQ12N80P (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
IXFQ12N80P (yпаковка: TO-3PN; год: 22+)IXYS–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFQ12N80P (MOSFET N-CH 800V 12A TO3P Подробнее)IXYS–160932
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXFQ12N80P (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–29807
Стандарт СИЗ, Москва
(495) 799-28-33, sale@standartsiz.ru
IXFQ12N80P (ST-STW10NK80Z) (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.)STM–Да
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFQ12N80P––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFQ12N80P––от 7 дней