Характеристики

IXFX90N20Q — MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: HiPerFET™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 500W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: PLUS 247
Архив документации
  • IXFX90N20Q - HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode
  • 98676.pdf на сайте ixys.com
Возможные аналогиSTY100NS20FD   Вся информация »

Поставщики «IXFX90N20Q»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
IXFX90N20Q (Подробнее)Littelfuse–35000
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
IXFX90N20Q (MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247 Подробнее)IXYS40.2724$950
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
IXFX90N20Q (Оригинальный и наличный и новый)IXYS–8643
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
IXFX90N20Q (MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3 Подробнее)IXYS–158021
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
IXFX90N20Q (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–30438
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
IXFX90N20Q––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
IXFX90N20Q––от 7 дней