Характеристики

IXTC160N10T — MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220

Производитель: IXYS  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: TrenchMV™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 83A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 140W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: ISOPLUS220™
Архив документации

Поставщики «IXTC160N10T»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdIXTC160N10T (Подробнее)Littelfuse–35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!IXTC160N10T (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)IXYS–29918
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!IXTC160N10T (MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 Подробнее)IXYS–161044
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!IXTC160N10T (yпаковка: PLUS220F; год: 22+)IXYS–55000
ООО "Интегральные схемы"IXTC160N10T––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"IXTC160N10T––от 7 дней